KDPM05AB_波克尔晶体_厂商:AGILTRON-光电之家

KDPM05AB

厂商: AGILTRON

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KDPM05AB是AGILTRON生产的一款去uterated磷酸二氢钾(KD*P)波克尔斯电池,传输范围为400 nm至600 nm。该产品清晰孔径为10 mm,半波电压为3300 V(532 nm)和6400 V(1064 nm)。其最大损伤阈值为10 GW/cm2(在10 ns、10 Hz和1064 nm下),最小平行度为5英寸。消光比(开/关)为20 dB至35 dB,材料纯度最小为99.8%。该波克尔斯电池的上升/下降时间为0.5 ns至1.1 ns,角度公差为±0.15度。KDPM05AB的电容为10 pF,表面划痕/挖掘为20/10 mm,长度为35 mm,电光系数为8.8 pm/V至25 pm/V。该波克尔斯电池配备标准插针型高压连接器、蓝宝石窗口和氮气填充的防潮密封。其具有可在输入和输出端口对齐和安装的偏振立方体,可形成强度调制器。该波克尔斯电池采用Φ19 mm × 28 mm的陶瓷外壳包装,特别适合Q开关、相位/功率调制和脉冲选择器应用。

KDPM05AB产品详细说明

产品详情

  • 部件编号
    KDPM05AB
  • 制造商
    AGILTRON
  • 描述
    400 nm - 600 nm, DKDP (KD*P) 波克尔斯电池,适用于Q开关应用

应用

  • 应用
    Q开关, 相位/功率调制, 脉冲选择器

环境条件

  • 工作温度
    10 至 80 摄氏度

通用参数

  • 清晰孔径
    10 mm
  • 半波电压
    1350 V
  • 波长范围
    400 至 600 nm
  • 电容
    10 pF
  • 晶体材料
    磷酸二氢钾 (KD*P)
  • 损伤阈值
    10 GW/cm2
  • 尺寸
    10 x 10 x 35 mm
  • 电光系数
    r41: 8.8 pm/V, R63: 25 pm/V
  • 消光比
    20 至 35 dB
  • 平行度
    5 英寸
  • 垂直度
    ±0.15 度
  • 上升/下降时间
    0.5 至 1.1 ns
  • 划痕和挖掘
    20/10 mm
  • 备注
    材料纯度: 99.8%

总结

  • 产品概述
    KDPM05AB是AGILTRON公司推出的一款高性能波克尔斯电池,适用于多种光电应用。其宽广的波长范围(400 nm至600 nm)使其在激光调制和信号处理领域表现出色。该产品的损伤阈值高达10 GW/cm2,确保在高功率激光应用中保持可靠性。同时,KDPM05AB具备优异的电光特性,电光系数为8.8 pm/V至25 pm/V,能够满足精确的调制需求。其设计考虑了环境因素,工作温度范围为10至80摄氏度,适应多种操作条件。该波克尔斯电池的清晰孔径为10 mm,确保高效的光传输,适合在各种高端光电系统中使用。无论是在科研还是工业应用中,KDPM05AB都能提供卓越的性能和稳定性,是您理想的选择。

技术文档