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850nm PM MEMS VOA光纤衰减器实物图（Seagnol Photonics制造）

850nm PM MEMS VOA

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850nm PM MEMS VOA是Seagnol Photonics推出的一款光纤衰减器，具有波长依赖损耗为0.8到2 dB，衰减量为30 dB，插入损耗为1到1.2 dB，回损为45 dB，偏振依赖损耗为0.1到0.3 dB。这款产品适用于各种光纤通信应用。

850nm PM MEMS VOA产品详细说明

产品详情

  • 部件编号
    850nm PM MEMS VOA
  • 制造商
    Seagnol Photonics

通用参数

  • 波长依赖损耗
    0.8 to 2 dB

应用

  • 应用
    光纤通信, EDFA功率保护, 光纤线路保护, 测试系统

光纤参数

  • 光纤长度
    0.5 to 2 m
  • 光纤护套
    250 µm, 900 µm
  • 光纤模式
    保持偏振
  • 光纤类型
    PM Panda光纤

环境条件

  • 工作温度显示
    0 to 70 Degree C
  • 存储温度
    -40 to 85 Degree C

电气规格

  • 衰减器类型
    可变光衰减器
  • 带宽
    ±10 nm
  • 中心波长
    850 nm
  • 驱动电压
    6 V, 15 V
  • 衰减
    30 dB
  • 插入损耗
    1 to 1.2 dB
  • 回损
    45 dB
  • 响应时间
    3 ms
  • 波动
    0.05 dB
  • 子类别
    微电机系统衰减器

光学规格

  • 消光比
    18 dB
  • 偏振依赖损耗
    0.1 to 0.3 dB
  • 偏振模式色散(PMD)
    0.1 ps
  • 温度依赖损耗
    0.2 to 1.5 dB
  • 工作波长
    850 nm
  • 光学输入功率
    500 mW

连接与接口

  • 光学连接器
    FC/APC, FC/UPC, LC/APC, LC/APC, SC/APC, SC/UPC, ST/UPC

总结

  • 产品概述
    850nm PM MEMS 可变光衰减器是Seagnol Photonics推出的一款高性能光纤衰减器，专为光纤通信领域设计。该产品具有出色的波长依赖损耗特性，能够在0.8到2 dB之间调整，并且支持高达30 dB的衰减能力。它的插入损耗在1到1.2 dB之间，确保信号传输的高效性和稳定性。850nm PM MEMS VOA还具有广泛的应用场景，包括EDFA功率保护和光纤线路保护等。其工作温度范围为0到70摄氏度，存储温度可达-40到85摄氏度，适应性强。该衰减器支持多种光纤连接器，方便与现有系统的集成，是光电行业中不可或缺的设备。

技术文档

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