TDLAS-DFBCHIPS-A-A81-W1648.2_激光二极管_厂商：LD-PD Inc-光电之家

TDLAS-DFBCHIPS-A-A81-W1648.2

厂商: LD-PD Inc

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TDLAS-DFBCHIPS-A-A81-W1648.2是LD-PD Inc推出的一款InGaAsP分布反馈（DFB）激光二极管，工作波长为1648.2 nm，输出功率为5.5 mW，波长公差为±1 nm。该半导体激光二极管具有1 nm的光谱宽度和0.12 mW/mA的量子效率，光束发散角为25度（平行）和35度（垂直）。

TDLAS-DFBCHIPS-A-A81-W1648.2产品详细说明

产品详情

部件编号

TDLAS-DFBCHIPS-A-A81-W1648.2
制造商

LD-PD Inc
描述

1648.2 nm InGaAsP DFB激光二极管，用于气体检测应用

应用

应用

可调谐二极管激光吸收光谱法, CH4监测

通用参数

技术

分布反馈（DFB），多量子阱（MQW）
工作模式

连续波激光
波长

1648.2 nm
波长公差

±1 nm
输出功率

5.5 mW
光谱宽度（FWHM）

1 nm
工作电压

1.3至2 V
工作电流

80至120 mA
正向电压

1.3至2 V
反向电压

2 V
反向电压（PD）

20 V
阈值电流

5至10 mA
激光增益介质

InGaAsP
光束发散

25度（平行），35度（垂直）
平行光束发散

25度
垂直光束发散

35度
系列电阻

8欧姆
封装类型

芯片
封装

芯片
类型

自由空间激光二极管
备注

SMSR: 40 dB, 量子效率: 0.08至0.12 mW/mA

温度

存储温度

-5至70摄氏度

总结

产品概述

TDLAS-DFBCHIPS-A-A81-W1648.2是LD-PD Inc推出的一款高性能激光二极管，专为气体检测应用而设计。它的工作波长为1648.2 nm，具有优异的输出功率和波长稳定性，适合用于可调谐二极管激光吸收光谱法和甲烷监测等高精度应用。该激光二极管采用分布反馈（DFB）技术，具有较小的光谱宽度和较高的量子效率，可以有效提高气体检测的灵敏度和准确性。同时，其适中的工作电压和电流要求，使其在实际应用中更具灵活性和适应性，是光电行业中一款理想的气体检测激光源。

技术文档

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