FPD510-FC-NIR_光电探测器_厂商:Menlo Systems-光电之家

FPD510-FC-NIR

厂商: Menlo Systems

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FPD510-FC-NIR是Menlo Systems推出的一款InGaAs PIN光电探测器,光谱范围为950 nm至1650 nm。其损伤阈值为3 mW,3 dB带宽为DC - 200 MHz,饱和限制可达100 μW,频率范围为DC - 250 MHz。该探测器的上升时间为2 ns,最大增益为1.5 x 10^5。其噪声等效功率(NEP)为3 pW/√Hz,暗态噪声水平为-110 dBm/√Hz(高达5 MHz)和-135 dBm/√Hz(在5 MHz - 250 MHz范围内)。FPD510-FC-NIR集成了低噪声射频放大器,并支持FC/APC和SMA母头连接器的SMF28光纤耦合输出。该探测器需要-12 V至+12 V的直流供电电压,并消耗20 mA至50 mA的电流。其紧凑设计尺寸为60 mm x 50 mm x 20 mm,适合高效的同频和异频提取光学拍频信号,低光信号检测,脉冲或调制光源特性表征,以及切割光源的检测应用。

FPD510-FC-NIR产品详细说明

产品详情

  • 部件编号
    FPD510-FC-NIR
  • 厂家
    Menlo Systems
  • 描述
    950 nm - 1650 nm, InGaAs PIN光电探测器,适用于低光检测应用

通用参数

  • 光电探测器材料
    铟镓砷(InGaAs)
  • 工作模式
    光伏
  • 封装类型
    带连接器的模块
  • 光谱带
    近红外,红外
  • 波长范围
    950至1650 nm
  • 光电探测器类型
    PIN
  • 供电电压
    12 V
  • 上升时间
    2 ns
  • 带宽
    DC至200 MHz
  • 截止频率
    DC至250 MHz
  • 噪声等效功率(NEP)
    3.0 pW/vHz
  • 封装
    带连接器的模块
  • 上升下降时间
    2 ns(上升)
  • 供电电流
    20至50 mA
  • 备注
    损伤阈值:3 mW,暗态噪声水平:-110至-135 dBm,增益:1.5 x 10^-5 V/W,相对湿度:10至90%(无凝结)

环境条件

  • 工作温度显示
    10至40摄氏度
  • 存储温度
    -20至85摄氏度

物理属性

  • 尺寸
    60 x 50 x 20 mm

应用

  • 应用
    高效同频和异频提取光学拍频信号(频率高达250 MHz),低光信号检测,脉冲或调制光源特性表征,切割光源的检测

连接与接口

  • RF连接器
    SMA - 母头

总结

  • 产品概述
    FPD510-FC-NIR是一款高性能的InGaAs PIN光电探测器,适用于各种低光检测应用。其波长范围从950 nm到1650 nm,能够有效捕捉光信号,适合在不同的环境条件下工作。该设备的上升时间为2 ns,带宽可达200 MHz,确保了快速的信号响应。此外,其紧凑的设计使得它在空间受限的应用中也能轻松配置。FPD510-FC-NIR还具备低噪声特性,能够在高灵敏度要求的场合中表现出色,满足现代光电应用的需求。无论是在科研、工业还是其他领域,这款探测器都提供了可靠的性能,帮助用户更好地进行光信号的检测与分析。

技术文档