PCxD-NIR波克尔晶体实物图(QUBIG制造)

PCxD-NIR

厂商: QUBIG

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QUBIG的PCxD-NIR是一款具有6.8 kV半波电压、波长范围为650到1100 nm、容量为6到10 pF、脉冲宽度为10 ns的Pockels Cell。该产品适用于多种激光应用,具备高效的电光调制能力。

PCxD-NIR产品详细说明

产品详情

  • 部件编号
    PCxD-NIR
  • 制造商
    QUBIG
  • 描述
    650到1100 nm, 6到10 pF的去uterated Potassium Dihydrogen Phosphate Pockels Cell

应用

  • 应用
    脉冲操作, Q开关, 光束切割器, 脉冲选择器, 模拟操作, 激光强度控制/稳定, 光学偶极阱/光学晶格, 极化调制, 脉冲选择

通用参数

  • 半波电压
    6.8 kV
  • 波长范围
    650到1100 nm
  • 电容
    6到10 pF
  • 晶体材料
    去uterated Potassium Dihydrogen Phosphate (DKDP)
  • 脉冲宽度
    10 ns
  • 损伤阈值
    1 GW/cm2
  • 透过率
    >98%
  • 尺寸
    30 x 44 mm
  • 消光比
    >1000:1
  • 透过波前畸变
    λ/6
  • 技术
    Q开关激光器
  • 清晰孔径显示
    8 x 15 mm
  • 窗体抗反射涂层
    R<1%

总结

  • 产品概述
    QUBIG的PCxD-NIR是一款高性能的Pockels Cell,适用于多种激光应用,如脉冲操作、Q开关和光束切割等。该设备的波长范围从650到1100 nm,具备6.8 kV的半波电压和6到10 pF的电容,能够有效控制和调制激光强度。其脉冲宽度为10 ns,损伤阈值达到1 GW/cm²,确保在高功率激光应用中的稳定性和可靠性。此外,PCxD-NIR还具有高透过率和优异的消光比,适合于精确的光学调制任务,是光电行业中不可或缺的关键组件。

技术文档